三星电子于2026年第三季度财报电话会议中宣布，在2027年，其高带宽内存（HBM）产能已按既定目标价格售罄，预计整体DRAM内存供应在2028年将继续紧张。具体而言，根据企业数据显示，2026年第三季度，三星的DRAM和NAND出货能力均实现个位数百分比的增长，而单位平均售价（ASP）相对上季度分别增长了20%和近10%。展望2026年第四季度，预计DRAM出货能力将增长15%至20%，而NAND出货能力预计将增长约15%。
尽管存储半导体市场整体仍处于供大于求的状态，但高管指出，三星已收到大量四层单元（QLC）产品的需求。此外，该公司已经与十家客户签署了长期协议（LTA），并正与另外十家客户就多年期合同进行进一步洽谈。随着对长期协议形式的需求在移动、汽车和网络等领域逐渐扩展，三星正致力于通过长期合约锁定60%至70%的生产能力。客户对续签的需求超出预期，部分客户甚至希望在协议期内追加供应量。
在HBM市场方面，三星电子已提前实现将市场细分占有率与整体DRAM市场份额持平的目标。根据销售数据，三星的HBM4产品在第三季度的销售额环比增长超过三倍，现已占到HBM总营收的60%。此外，三星的晶圆代工业务计划加大对韩美晶圆厂的投资，旨在与先进封装产能相同步，且正对包括建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。 球友直播官网
综上所述，三星电子在内存市场的战略布局和产能规划显示出其在高需求环境下的积极应对能力，以应对未来市场供需变化。研究表明，随着新兴市场的不断发展和技术的进步，三星在存储领域的领导地位将进一步稳固。
